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                  真空鍍膜技術(shù)

                  真空鍍膜技術(shù)
                  蒸鍍(Evaporation)
                  &
                  濺鍍(Sputter)
                  Film Deposition
                  薄膜沈積(Thin Film Deposition)
                  在機(jī)械工業(yè)、電子工業(yè)或半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域,為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性在材料表面上以各種方法形成被膜(一層薄膜),而加以使用,假如此被膜經(jīng)由原子層的過程所形成時(shí),一般將此等薄膜沈積稱為蒸鍍(蒸著)處理。採用蒸鍍處理時(shí),以原子或分子的層次控制蒸鍍粒子使其形成被膜,因此可以得到以熱平衡狀態(tài)無法得到的具有特殊構(gòu)造及功能的被膜。
                  薄膜沈積的兩種常見的製程
                  物理氣相沈積–PVD
                  (Physical Vapor Deposition)

                  化學(xué)氣相沈積CVD
                  (Chemical Vapor Deposition)
                  薄膜沈積機(jī)制的說明圖
                  物理氣相沈積–PVD (Physical Vapor Deposition)
                  PVD顧名思義是以物理機(jī)制來進(jìn)行薄膜堆積而不涉及化學(xué)反應(yīng)的製程技術(shù),所謂物理機(jī)制是物質(zhì)的相變化現(xiàn)象

                  蒸鍍(Evaporation)
                  濺鍍(Sputtering)

                  真空電鍍簡介
                  被鍍物與塑膠不產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)
                  環(huán)保製程;無化學(xué)物污染
                  可鍍多重金屬
                  生產(chǎn)速度快
                  可對(duì)各種素材加工
                  屬低溫製程

                  最常見的PVD製程

                  蒸鍍(Evaporation)
                  蒸鍍(Evaporation)原理
                  鎢絲
                  鎢舟
                  鉬舟
                  蒸鍍(Evaporation)原理
                  濺鍍(Sputter)
                  PLASMA
                  什麼是電漿
                  藉由外加的電場能量來促使氣體內(nèi)的電子獲得能量並加速撞擊不帶電中性粒子,由於不帶電中性粒子受加速電子的撞擊後會(huì)產(chǎn)生離子與另一帶能量的加速電子,這些被釋出的電子,在經(jīng)由電場加速與其他中性粒子碰撞。如此反覆不斷,進(jìn)而使氣體產(chǎn)生崩潰效應(yīng)(gas breakdown),形成電漿狀態(tài)。
                  電漿性質(zhì)
                  1.整體來說,電漿的內(nèi)部是呈電中性的狀態(tài),也就是帶負(fù)電粒子的密度與帶正電粒子的密度是相同的。
                  2.因?yàn)殡姖{中正、負(fù)離子的個(gè)數(shù)幾乎是一比一,因此電漿呈現(xiàn)電中性。
                  3.電漿是由一群帶電粒子所組成,所以當(dāng)有一部分受到外力作用時(shí),遠(yuǎn)處部份的電漿,乃至整群的電漿粒子都會(huì)受到影響,這叫做「電漿的群體效應(yīng)」。
                  4.具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。
                  濺鍍(Sputter)原理
                  1. Ar 氣體原子的解離
                  Ar ? Ar+ + e-
                  2. 電子被加速至陽極,途中產(chǎn)生新的解離。
                  3. Ar 離子被加速至陰極撞擊靶材,靶材粒子及二次電子被擊出,前者到達(dá)基板表面進(jìn)行薄膜成長,而後者被加速至陽極途中促成更多的解離。
                  濺鍍(Sputter)原理
                  In-line Sputtering System
                  Sputtering Process
                  Target
                  Magnetic Field Lines
                  Target Erosion
                  濺鍍製程技術(shù)的特點(diǎn)
                  成長速度快
                  大面積且均勻度高
                  附著性佳可改變薄膜應(yīng)力
                  金屬或絕緣材料均可鍍製
                  適合鍍製合金材料
                  各種PVD法的比較
                  各種物理氣相沈積法之比較
                  蒸鍍與濺鍍製程上運(yùn)用之差異
                  素材形狀
                  鍍膜材質(zhì)之要求
                  不透光及半透光
                  鍍膜方向

                  蒸鍍與濺鍍製程 產(chǎn)能與成本比較 (以惠明為例)
                  濺鍍有效面積:450mmX350mm
                  蒸鍍治具面積:120mmX100mm
                  一般濺鍍產(chǎn)能:一分鐘一盤
                  一般蒸鍍產(chǎn)能:30分鐘一爐,每爐可放768個(gè)治具
                  蒸鍍須外加治具成本及上下治具人工成本
                  常見的外觀裝飾性PVD之製程

                  素材直接鍍膜
                  配合噴塗之鍍膜
                  其他

                  素材直接鍍膜
                  素材直接鍍膜
                  運(yùn)用於平面的素材:如FILM鍍膜
                  素材材質(zhì):PC,PMMA,PET..等等
                  運(yùn)用:1.Lens(平板切割,IMD,IMR)
                  2.銘版
                  3.按鍵(IMD,IMR)
                  4.背光板

                  配合噴塗之鍍膜
                  配合噴塗之鍍膜
                  運(yùn)用於立體的素材:如按鍵及機(jī)殼鍍膜
                  素材材質(zhì):大部分塑膠皆可
                  運(yùn)用:1.機(jī)殼及按鍵
                  2.銘版
                  3.數(shù)位相機(jī)自拍鏡
                  4.半透光燈罩

                  配合其他製程之運(yùn)用
                  搭配印刷
                  搭配雷雕
                  EMI
                  Dipping
                  化學(xué)蝕刻(退鍍)
                  其他
                  配合其他製程之運(yùn)用
                  Example:手機(jī)按鍵
                  印刷
                  噴塗
                  雷雕
                  配合其他製程之運(yùn)用
                  Example:LCD Lens
                  Dipping
                  印刷
                  退鍍


                  標(biāo)簽:   真空鍍膜技術(shù)

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